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车载充方案 英集芯IP6806芯片10W车载无线充电器方案_聚泉鑫

2023-09-05 查看(908)

英集芯IP6806芯片是一款无线充电发射端控制SoC芯片,兼容WPC Qi v1.2.4新标准,支持A11或A11a线圈,支持5W、苹果7.5W、三星10W充电。IP6806片内集成全桥驱动电路和全桥功率MOS,电压&电流两路ASK通讯解调模块;方案集成度高,可显著降低方案尺寸和BOM成本。...
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无线充电ic方案 5w无线充电5v1a发射端tx芯片ip6805u外围器件少成本低

2023-09-04 查看(765)

ip6805u是一款5w无线充电5v1a发射端tx芯片SOC,兼容WPC Qi v1.2.4新标准,支持A11或A11a线圈,支持5W充电。集成NMOS全桥驱动和全桥功率MOS,输入耐压16V,可用于5w车载无线充电器方案。 ip6805u内置两个对称的的半桥驱动模块内置...
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无线充电ic方案 15w qi无线充电芯片方案英集芯ip6808_ua无线充电发射控制器

2023-09-04 查看(698)

英集芯ip6808_ua无线充电发射控制器是一款15w qi无线充电芯片方案SOC,兼容WPC Qi v1.2.4 最新标准,支持A11线圈,支持5W、苹果7.5W、三星10W、EPP 15W充电。15w qi无线充电芯片方案ip6808_ua芯片内集成全桥驱动电路和电压&电流两路ASK通讯...
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其他芯片方案 英集芯IP2610 32V输入耐压过压保护ic芯片

2023-08-15 查看(1152)

IP2610 是一款具有输入过压保护集成 IC。IP2610 的输入耐压达 32V;检测到输入电压大于 OVP 保护闻值后,能快速关闭内部集成的功率管防止输入高压损坏输出上的设备;IP2610 集成有过温保护,当检测到芯片内部温度过高时,也会关断功率管输出。...
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氮化镓GaN/协议 INN700D140C氮化镓700V GaN增强模式功率ic芯片

2023-08-12 查看(845)

英诺赛科INN700D140C氮化镓700VGaN-on-Silicon增强型功率晶体管的双面板设计T无铅封装 (DFN)用8mmx8mm尺寸。应用程序:交直流转换器‘’直流一直流转换器,图腾柱PFC,电池快速充电,高密度功率转换高效率功率转换。...
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其他芯片方案 芯控源AGM6014A高单元密度沟槽式N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(788)

AGM6014A是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET可为大多数同步降压转换器应用提供excellentRDSON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(975)

AGM12T05A是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最excellentRDSON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM405Q高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(802)

AGM405O是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。绿色设备可用超低栅电荷,优异的CdV/dt效应下降,先进的高电池密度沟槽技术。...
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其他芯片方案 芯控源AGM303AP低电阻封装沟槽MOSFET_聚泉鑫

2023-08-12 查看(1105)

先进高电池密度沟槽技术低RDs (oN),最大限度地减少导电损耗低栅极电荷,实现快速开关低热阻。应用:兆字节/VGAVcore,SMPS第二同步整流器,PolyOne公司应用程序,无刷直流电机驱动器。...