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英诺赛科 Innoscience

全球最大的8英寸硅基氮化镓供应商

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聚泉鑫科技 — 英诺赛科一级授权代理商,原厂技术协同+现货库存保障,提供全系列氮化镓功率器件与解决方案,覆盖消费电子、数据中心、汽车电子、工业电机等领域。

英诺赛科 · 氮化镓全球领导者

英诺赛科(股票代码:02577.HK)是全球首家实现8英寸硅基氮化镓量产的IDM企业,采用垂直整合制造模式,掌握外延、器件设计、晶圆制造、封装测试全产业链核心技术。公司成立于2015年,总部位于珠海,在苏州建有大规模生产基地,致力于推动氮化镓技术在电力电子领域的广泛应用。

截至2025年12月,英诺赛科累计出货量突破20亿颗,市场份额连续多年全球领先,被Yole、Frost & Sullivan等权威机构评为氮化镓功率器件市场占有率第一。公司已获得IATF 16949车规认证,产品广泛应用于消费电子、数据中心、新能源汽车、工业电机、光伏储能等领域。

8英寸GaN-on-SiIDM模式车规级AEC-Q101港股上市: 02577.HK
20亿+
累计出货量
1.5万片/月
晶圆产能
30.6%
全球市占率(2023)

关键里程碑:全球首家8英寸GaN量产、车规认证、与意法半导体战略合作
愿景:让氮化镓成为能源效率的核心
使命:推动氮化镓技术普及,实现绿色低碳

发展里程碑 · 持续引领

2015
公司成立
2017
珠海生产基地投产
2021
苏州生产基地投产
2024
累计出货超12亿颗
2025
累计出货超20亿颗
首次氮化镓应用于数据中心首次应用于汽车激光雷达首次应用于手机内部首次应用于工业电池化成

全系列氮化镓产品矩阵

英诺赛科提供从低压到高压、从单管到合封的全套GaN解决方案,覆盖电压范围30V~1200V,功率范围10W~22kW。

高压GaN HEMT
(650V/700V/900V/1200V)

RON范围:2.2Ω - 20mΩ,功率10W-11kW+,封装:DFN、TO-220/F、TO252、TOLL、TOLT,适用于AC/DC充电器、电源、服务器电源,通过AEC-Q认证。

🔋

中低压GaN HEMT
(30V-200V)

RON低至0.9mΩ,封装LGA、QFN、WLCSP,适用于XPU供电、48V DC/DC、LiDAR、同步整流,AEC-Q101车规级。

🔌

SolidGaN® 合封芯片

集成驱动、保护、电流检测,包括ISG610X(带电流检测)、ISG613X(带栅极钳位)、ISG612X(高功率)、ISG623X(半桥),简化设计,提升可靠性。

🔄

双向导通VGaN™

30V/40V/100V/120V/650V,RON低至1.2mΩ,单颗替代两颗背靠背MOSFET,大幅减小BMS、手机OVP方案面积和损耗。

💻

GaN驱动芯片

单通道、半桥驱动,覆盖30V-700V,INS1001、INS200X、INS204X系列,精准驱动GaN HEMT,优化开关性能。

⚙️

半桥SolidGaN®

ISG320X(100V)、ISG121X(40V)、ISG623X(700V)等,集成半桥驱动与GaN,适用于电机驱动、数据中心、DC-DC转换器。

氮化镓 vs 硅:代际优势

📈

性能全面提升

  • 禁带宽度:3-4倍 → 耐高温、高可靠性
  • 击穿场强:11倍 → 更高耐压
  • 饱和电子漂移速度:2-4倍 → 开关速度更快
  • 电子迁移率:1.5倍 → 导通电阻更低
  • 零反向恢复电荷 → 无反向恢复损耗,适合硬开关拓扑
📊

系统级收益

  • 开关频率提升5-10倍 → 缩小变压器、电感体积
  • 效率提升2-5% → 降低能耗,减少散热器
  • 功率密度提升30-50% → 更小体积
  • 成本接近硅MOS,未来可接近IGBT
📊 电机驱动实测数据:在220W电机驱动中,采用英诺赛科480mΩ GaN相比500mΩ Si MOS,逆变器效率从95.79%提升至98.45%,且可省去散热器,大幅降低成本与体积。

广泛的应用领域

📱

消费电子

PD快充(45W-300W)、手机内部OVP、无线充、电视电源,典型客户:安克、绿联、小米、OPPO。

🖥️

数据中心与通信

服务器电源(PSU)、48V DC-DC转换器、GPU供电,提升效率,降低功耗。

🚗

新能源汽车

OBC、DC-DC、激光雷达、BMS,通过AEC-Q101车规认证,已应用于头部车企。

🏭

工业电机驱动

空调压缩机、风机、吸尘器、机器人关节电机,提升效率,减小散热器,实现无散热器设计。

☀️

光伏储能

微型逆变器、储能变流器(PCS)、MPPT,提高转换效率,缩小体积。

🤖

机器人 & 无人机

关节电机驱动、BMS、LiDAR,高功率密度,提升续航和响应速度。

家电 & 电机驱动解决方案

英诺赛科GaN器件在电机驱动中表现优异,无反向恢复、低开关损耗、支持高频PWM,可显著提升效率并简化散热设计。

🌀

家电应用覆盖

油烟机(100-500W)冰箱(200W)空调风机(30-110W)空调压缩机(2-4kW)高速风筒(80-120W)破壁机(300-1500W)洗衣机(500-800W)

推荐产品:ISG613xATK系列(中功率无散热器)、ISG612xTD系列(大功率)、ISG624x系列(半桥合封,预计2025年Q4量产)。

🤖

机器人电机驱动

48V/500W电机驱动EVB采用ISG3204LA(100V半桥SolidGaN),效率峰值98.23%,满载98.1%,小功率场景可省散热器。VGaN用于BMS,体积减小33%,器件数量减半。

低死区时间 → 降低THD
高PWM载频 → 减小母线电容体积

战略合作 · 全球布局

🤝

与意法半导体战略合作

2024年英诺赛科与意法半导体签署氮化镓技术开发与制造协议,双方共同开发消费、数据中心、工业及汽车用GaN工艺,并共享供应链资源,进一步巩固英诺赛科在全球GaN市场的领导地位。

🏢

全球主要客户与伙伴

安克创新绿联小米OPPOLG联想戴尔台达光宝弗迪动力汇川技术

为什么选择聚泉鑫作为英诺赛科合作伙伴?

🤝

官方一级代理

原厂授权,稳定供货,享有优先技术支持和最新产品资源。

📦

常备现货库存

深圳中心仓常备热门型号,保障交期,支持紧急订单。

🎧

资深FAE团队

提供选型、原理图设计、PCB layout、EMC优化、热设计等全方位技术支持。

📈

方案级服务

提供PD快充、电机驱动、DC-DC参考设计,缩短客户研发周期。

🌐

高效供应链

ERP+CRM信息化管理,订单可追溯,快速响应需求。

💰

灵活商务政策

样品免费申请,阶梯价格,长期合作共赢。

车规级可靠性保障

器件可靠性测试标准(JEDEC)
HTGB(高温栅偏)HTRB(高温反偏)H3TRB(高温高湿反偏)TC(温度循环)HASTMSL3

过压设计余量:650V器件典型击穿电压>1300V,40V器件典型击穿电压>72V

体系认证
ISO 9001IATF 16949ISO 14001ISO 45001

全自动晶圆级测试 + 封装级可靠性监控 + 系统级HTOL,确保产品寿命与稳定性。

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*本页信息基于英诺赛科官方公开资料,聚泉鑫科技拥有最终解释权。GaN: Yes We CaN!