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- 氮化镓GaN协议芯片PD 英诺赛科INN100L12氮化镓pd20w快充方案充电器参考设计
- 参考设计左侧是输出的同步整流电路，南芯SC3503同步整流控制器芯片右侧为英诺赛科 INN100L12，仅为同步整流控制器2/3面积；同时初级控制器也是来自南芯，型号SC3001B。20W氮化镓参考设计宽约22mm，高约20mm；和苹果pd20w充电器对比，仅约为其一半体积大小，非常精巧。...
2023-09-25 查看(883)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 英诺赛科30W氮化镓快充方案而且支持苹果30Wpd快充协议
- 此款英诺赛科30W氮化镓快充方案，采用了InnoGaN系列第二代新品INN650DA04，具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，同时采用DFN5*6进行封装，实现小体积、高效率，迅速成为市场焦点。...
2023-09-25 查看(645)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 英诺赛科30W Gan快充方案体积小、成本低并且效率提升9%
- 英诺赛科30W Gan快充方案快充的高频特性，在实现高效率和小尺寸方面，明显优于Si MOS。由于GaN的效率足够高，可以节省热片设计，从而实现小尺寸高效率的紧凑型适配器设计，通过更好地控制内部温升，以及GaN相对Si更强的抗高温特性，搭配简洁的设计和布局，大大降低了系统成本与加工成本。...
2023-09-25 查看(755)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 小米同款33W氮化镓PD快充方案参考设计INN650DA04
- 支持PD、PPS、Apple2.4A、QC2.0、QC3.0、QC4+、AFC以及FCP等快充协议。（2）支持5V⎓3A、9V⎓3A、12V⎓2.5A三个固定PD快充输出档位； （3）5-11V⎓3A一组PPS快充档位；（4）支持小米11V3A私有PD快充档位。...
2023-09-25 查看(641)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 英诺赛科33W氮化镓充电器方案支持小米33w快充INN650DA04
- 33W氮化镓充电器方案支持PD、PPS、Apple2.4A、QC2.0、QC3.0、QC4+、AFC以及FCP等快充协议。不但支持5V⎓3A、9V⎓3A、12V⎓2.5A三个固定PD输出档位而且支持5-11V⎓3A一组PPS快充档位，此外还支持小米11V3A私有快充档位。...
2023-09-25 查看(662)
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- 电子烟方案 电子烟芯片ic方案，5个脚的电子烟充电ic
- 虽然均采用了相同SOP8封装、脚位；但JW1052H不仅拥有3540的性能，而且是在3540的基础上实行了改良，性能将更优秀。特别是在充电指示灯状态方面的改良，这也是JW1052H方案为什么能节省两个外围器件的原因所在。...
2023-09-25 查看(646)
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- 电子烟方案 电子烟充电特性而设计的小封装充电管理ic芯片方案
- JW1057是一款专为电子烟充电特性而设计的小封装充电管理ic。其底部带有散热片的SOT-23-6封装与较少的外部元件数目，使得JW1057成为便携式应用的理想选择，JW1057可以适合USB电源和适配器电源工作。...
2023-09-25 查看(586)
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- 电源管理方案 双节两串锂电池充电ic英集芯IP2322电路图典型应用输出5V2A
- 英集芯IP2322电路图典型应用输出5V2A的双节两串锂电池充电ic，IP2322集成功率MOS，采用同步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，并有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。...
2023-09-25 查看(502)
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- 电源管理方案 充电电流可达3A的单节锂电池充电ic英集芯IP2312
- IP2312集成功率MOS，采用同步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，并有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。IP2312的升压开关充电转换器工作频率750KHz，充电电流可达到3A，5V输入，3.7V/2A 转换效率94%;可通过外部电阻设置充电电流。...
2023-09-25 查看(693)
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