-
- 氮化镓GaN协议芯片PD 英集芯IP2736/36U集成多种协议USB 端口快充协议 IC
- 集成 PD2.0/PD3.1/PPS/EPR 28V 协议集成对 E-Marker 线缆的识别和支持集成 Qc5/QC4+/QC3+/ac3.0/Qc2.0 协议支持 Class B 电压等级，适配器、车充等单向输出应用提供完整的解决方案。...
2023-11-04 查看(747)
-
- 氮化镓GaN协议芯片PD 英集芯IP2723T/TH集成多和协议,用于 USBC快充协议IC
- IP2723TH 集成多种协议、用于 USB 输出端口的快充协议 IC。支持多种快充协议，适配器、车充等单向输出应用提供完整的 TYPE-C 解决方案。IP2723TH 具备高集成度与丰富功能，在应用时仅需极少的外围器件，有效减小整体方案的尺寸，降低 BOM 成本。...
2023-11-03 查看(951)
-
- 氮化镓GaN协议芯片PD INN700TK350B是英诺赛科700V GaN增强型功率晶体管
- 英诺赛科INN700TK350B氮化镓开关管，采用TO252封装，额定耐压为700V，瞬态耐压为800V，具有更多余量。电源支持90-264V输入电压，220V输入满载输出效率高达93.5%，体现氮化镓性能优势。...
2023-11-03 查看(797)
-
- 氮化镓GaN协议芯片PD INN700D190B是英诺赛科700V硅基GaN增强型功率晶体管
- INN700D190B英诺赛科GaN氮化镓65W快充PD/QC充电器电源ic芯片,一款功能强大的硅基GaN增强型功率晶体管，适用于多种应用，特别是需要高耐压、高频率、高效率和低开关损耗的应用。...
2023-11-03 查看(920)
-
- 氮化镓GaN协议芯片PD INN700DA350B英诺赛科700VGaN增强型功率晶体管
- 氮化镓MOS,耐压700V,内阻mΩ350,封装DFN5*6,适用功率45-75W,适配产品充电器。尺寸为5mmX6mm的双扁平无铅封装(DFN)700V硅基GaN增强型功率晶体管,增强型晶体管正常关闭电源开关。...
2023-11-01 查看(645)
-
- 氮化镓GaN协议芯片PD 英集芯IP6537U集成多种快充45W输出协议降压ic芯片SOC
- 支持PD2.0/PD3.0/PPS,QC2.0/QC3.0/QC3+,AFC,FCPMTK，可提供最大45W 的输出功率，能够根据识别到的快充协议自动调整输出电压和电流。IP6537U 采用 QFN24(4mm*4mm)封装，应用：车载充电器，快充适配器。 ...
2023-10-24 查看(666)
-
- 氮化镓GaN协议芯片PD 英诺赛科GaN设计的65W氮化镓GAN PD充电器成熟量产方案
- 英诺赛科GaN功率器件INN650D01和INN650D02设计的65W氮化镓GAN PD充电器成熟量产方案，助力快充充电器厂家快速应用氮化镓小体积充电器方案。...
2023-10-10 查看(648)
-
- 氮化镓GaN协议芯片PD 65w氮化镓和普通65w有什么区别？65w氮化镓充电器优点
- 基于国内氮化镓功率器件厂家英诺赛科InnoGaN开发完成的AC-DC电源65W氮化镓充电器方案。产品系列包含1C、1A+1C，2C，1A+2C等多种输出款式方案，同时可根据要求为客户设计氮化镓充电器方案。轻松通过国内外各类业内认证。...
2023-10-10 查看(676)
-
- 氮化镓GaN协议芯片PD 100W氮化镓充电器方案提供氮化镓方案设计_聚泉鑫
- 氮化镓功率器件具备高速高频高效的特性，能够让大功率USB PD100W充电器不再是魁梧的板砖，小巧的体积一样可以实现100W大功率输出。GaN（氮化镓）相比传统硅基半导体，有着比硅基半导体出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。...
2023-10-10 查看(1013)
Copyright © 2022-2032 深圳市聚泉鑫科技有限公司 版权所有 备案号：粤ICP备19083333号-2
粤公网安备 44030902003772号