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- 其他芯片方案 英集芯ip5516集成mcu的TWS蓝牙耳机充电仓soc充电芯片
- IP5516可实现TWS对耳独立入仓检测，检测到耳机入仓后自动进入耳机充电模式，耳机充满后自动进入休眠状态，静态电流最低可降至30uA。可灵活定制耳机充满判饱电流，充满电流检测精度高达1mA。...
2023-09-09 查看(550)
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- 其他芯片方案 英集芯IP2610 32V输入耐压过压保护ic芯片
- IP2610 是一款具有输入过压保护集成 IC。IP2610 的输入耐压达 32V;检测到输入电压大于 OVP 保护闻值后，能快速关闭内部集成的功率管防止输入高压损坏输出上的设备;IP2610 集成有过温保护，当检测到芯片内部温度过高时，也会关断功率管输出。...
2023-08-15 查看(885)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM6014A高单元密度沟槽式N沟道MOSFET
- AGM6014A是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET可为大多数同步降压转换器应用提供excellentRDSON和栅极电荷。...
2023-08-12 查看(565)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET
- AGM12T05A是高单元密度沟槽N沟道MOSFET，它提供了同步降压转换器的应用最excellentRDSON和栅极电荷。...
2023-08-12 查看(802)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM405Q高单元密度沟槽N沟道MOSFET
- AGM405O是高单元密度沟槽N沟道MOSFET，它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。绿色设备可用超低栅电荷，优异的CdV/dt效应下降，先进的高电池密度沟槽技术。...
2023-08-12 查看(559)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM303AP低电阻封装沟槽MOSFET_聚泉鑫
- 先进高电池密度沟槽技术低RDs (oN)，最大限度地减少导电损耗低栅极电荷，实现快速开关低热阻。应用：兆字节/VGAVcore，SMPS第二同步整流器，PolyOne公司应用程序，无刷直流电机驱动器。...
2023-08-12 查看(825)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET
- AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(698)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET
- AGM1010A2是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET，它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RD SON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(936)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM310AP1沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- 100%EAS保证绿色设备可用*超低栅极电荷优异的CdV/dt效应衰减先进的高电池密度沟槽技术。AGM310AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET，它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1014)
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