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其他芯片方案 英集芯IP5901手电筒方案,可进行软件调整_聚泉鑫

2024-01-02 查看(927)

手电筒方案主要包括两个照明灯,一般驱动电流在300mA主要,可利用IP5901内置MOS直接驱动,通过按键调节PWM,切换不同的模式和亮度,充电器输入通过IP5901对锂电充电,当外部用电设备。...
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其他芯片方案 英集芯IP2913H芯片USB-C to DP双向线缆可自动识别

2023-12-29 查看(778)

配置为C to DP或者DP to c方向,集成了c to DP单向线缆或者DP to c单向线缆两者的功能,实现C to DP和DP to c的全兼容。封装为QFN24,具备高集成度的丰富功能,在应用时,仅需极少的外围器件,有效减少整体方案的尺寸,降低BOM成本。...
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其他芯片方案 英集芯IP2913H用于USBC和输出显示端口备用模式协议IC

2023-12-29 查看(895)

支持 PD3.1, Alternate Mode 配置,IP2913H 具备高集成度与丰富功能,在应用时仅需极少的外围器件,有效减小整体方案的尺寸,降低 BOM 成本。...
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其他芯片方案 英集芯ip5516集成mcu的TWS蓝牙耳机充电仓soc充电芯片

2023-09-09 查看(645)

IP5516可实现TWS对耳独立入仓检测,检测到耳机入仓后自动进入耳机充电模式,耳机充满后自动进入休眠状态,静态电流最低可降至30uA。可灵活定制耳机充满判饱电流,充满电流检测精度高达1mA。...
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其他芯片方案 英集芯IP2610 32V输入耐压过压保护ic芯片

2023-08-15 查看(971)

IP2610 是一款具有输入过压保护集成 IC。IP2610 的输入耐压达 32V;检测到输入电压大于 OVP 保护闻值后,能快速关闭内部集成的功率管防止输入高压损坏输出上的设备;IP2610 集成有过温保护,当检测到芯片内部温度过高时,也会关断功率管输出。...
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其他芯片方案 芯控源AGM6014A高单元密度沟槽式N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(626)

AGM6014A是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET可为大多数同步降压转换器应用提供excellentRDSON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(854)

AGM12T05A是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最excellentRDSON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM405Q高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(609)

AGM405O是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。绿色设备可用超低栅电荷,优异的CdV/dt效应下降,先进的高电池密度沟槽技术。...
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其他芯片方案 芯控源AGM303AP低电阻封装沟槽MOSFET_聚泉鑫

2023-08-12 查看(914)

先进高电池密度沟槽技术低RDs (oN),最大限度地减少导电损耗低栅极电荷,实现快速开关低热阻。应用:兆字节/VGAVcore,SMPS第二同步整流器,PolyOne公司应用程序,无刷直流电机驱动器。...