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- 其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET
- AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1016)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET
- AGM1010A2是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RD SON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1216)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM310AP1沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- 100%EAS保证绿色设备可用*超低栅极电荷优异的CdV/dt效应衰减先进的高电池密度沟槽技术。AGM310AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1297)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM308AP槽沟式N-沟道MOSFET-聚泉鑫
- AGM308AP是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(908)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM306AP沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- AGM306AP是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(829)
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- 其他芯片方案 芯控源AGM311MAP芯片沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- AGMSEMI AGM311MAP,耐压30V,导阻10.5mΩ,DFN3.3*3.3封装,用于线圈驱动。AGM311MAP是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1048)
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- 移动电源方案 IP5389快充协议最大输出功率100W的移动电源SOC
- 支持双向SCP,VooC,PD3.0支持 2~5 节串联电芯集成升降压驱动SOC,IP5389 支持 4颗 LED 电量显示,支持 88、188 等各种数码管电量显示;支持照明功能;支持按键。...
2023-08-11 查看(1964)
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- 移动电源方案 IP5353支持高压SCP双向PD3.0快充协议移动电源SOC
- IP5353在首次接入电池时,芯片处于锁定状态,电量灯最低位会闪5s。在非充电状态时,如果电池电压过低触发低电关机,IP5353也会进入锁定状态。...
2023-08-11 查看(1691)
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- 移动电源方案 IP5332支持双向 PD3.0 快充等多种协议的移动电源 SOC
- IP5332 支持 1/2/3/4 颗 LED 电量显示,智能识别电量显示模式:支持照明功能:支持按键。应用产品:移动电源、充电宝手机、平板电脑等便携设备。...
2023-08-11 查看(1917)