英诺赛科INN650D02智能小巧大功率GaN氮化镓方案240W

2023-09-09 16:14      英诺赛科INN650D02   智能小巧大功率GaN氮化镓方案240W    浏览次数:(

GaN氮化镓功率芯片凭借高频、高效、高耐压等特性在快充领域大放异彩,但截至目前来看,还主要集中在30W-100W功率段,因此很多功率较低的轻薄笔记本能够享受到此波红利,而很多功率较大的游戏笔记本电脑、视频剪辑、图片制作等工作用笔记本就很难运用的上了,相信随着GaN氮化镓功率芯片不断发展,基于GaN氮化镓设计的电源适配器的功率会越来越大。

        近期安述智能推出的一款240W氮化镓+碳化硅适配器,这么大的输出功率不仅可以喂饱目前市面上绝大多数游戏本、工作本,而且这么大功率下机身尺寸仅为103*72*29mm,功率密度达到1.12W/cm³,比常见的氮化镓适配器功率密度更大,是名副其实的小巧大功率GaN氮化镓适配器方案240W。

英诺赛科INN650D02智能小巧大功率GaN氮化镓方案240W
安述智能小巧大功率GaN氮化镓适配器参数:

(1)型号:AS-240W
(2)输入:100-240V~50/60HZ 2.6A
(3)输出:19.5V12.3A
(4)制造商:深圳市安述智能科技有限公司

(5)充电器已经通过了CE、FCC和RoHS认证。

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        通过拆解此款安述智能小巧大功率GaN氮化镓适配器方案240W发现非常有意思的一点,PFC升压开关管采用两颗英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片,LLC开关电源的两颗高压开关MOS管也是采用的英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片。

        INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好,且导通电阻小,适合高频高效的开关电源应用,采用DFN8*8封装,具备超低热阻,散热性能好,适合高功率密度的开关电源应用。

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        英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片,额定耐压为650V,峰值耐压750V,导阻低至0.2Ω,符合JEDEC标准的工业应用要求,支持ESD保护,支持开尔文源极。最高工作温度150℃。


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