小体积33w氮化镓快充方案,英诺赛科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片

2023-09-09 16:22      英诺赛科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片   小体积33w氮化镓快充方案    浏览次数:(
       近两年来市场上不断出现各类新型氮化镓方案,功率亦出现两极分化的趋势,即一种是往120W、150W、200W以上的大功率氮化镓方案发展;另一种情况则往实用型手机PD快充转变,如45W、30W、20W特别是33W氮化镓充电器方案等。

        此次为大家带来一款具备爆品潜质小体积33w氮化镓快充方案,采用英诺赛科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片。



小体积33w氮化镓快充方案,英诺赛科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片
       主控采用亚成微的PWM开关控制芯片RM6601ND,这是一款集成了高压启动、GaN驱动器、满足六级能效要求的PWM+PFM控制器。支持CCM和QR工作模式,内置700V高压启动,开关频率最高为130KHz,支持抖频功能改善EMI,集成斜坡补偿和高低压功率补偿。
 
        氮化镓功率器件开关管采用英诺赛科INN650DA04,这是一颗DFN5*6封装的氮化镓开关管,具有小体积,散热快,开关损耗低等优势。
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        爆品潜质小体积33w氮化镓快充方案的基本框架,采用RM6601ND+INN650DA04+RM5020T+RMD070N10S配套。

爆品潜质小体积33w氮化镓快充方案特点:

(1)提升功率的同时,进一步缩小了充电器体积
(2)并且功耗更低,性能方面还支持20V高压快充
(3)支持最高27W快充与33W PPS快充
(4)可匹配iPhone系列以及其他主流品牌手机快充。
(5)在110V 60Hz、220V 50Hz输入电压下,所有输出功率纹波峰峰值均低于200mVp-p这个国家充电器纹波要求标准。


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