扫二维码与项目经理沟通
我们在微信上24小时期待你的声音
解答本文疑问/技术咨询/运营咨询/技术建议/互联网交流
英诺赛科GaN设计的65W氮化镓GAN PD充电器成熟量产方案
聚泉鑫科技近期推出基于英诺赛科GaN功率器件INN650D01和INN650D02设计的65W氮化镓GAN PD充电器成熟量产方案，助力快充充电器厂家快速应用氮化镓小体积充电器方案。
聚泉鑫科技为您全方位提供氮化镓GaN器件在充电器设计中的应用问题，解决氮化镓GAN PD充电器方案难过EMC问题以及开发周期长、成本高等难点、痛点。
氮化镓充电器可谓吸引了全球眼球，高速高频高效让大功率USB PD充电器不再是魁梧砖块，小巧的体积一样可以实现大功率输出.GaN（氮化镓）相比传统硅基半导体，有着比硅基半导体出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。这首先体现了低损耗和高开关频率，低损耗可降低导阻带来的发热，高开关频率可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升频率，降低驱动损耗。
65W氮化镓GAN PD充电器方案的USB-C口支持USB PD3.0（PPS）快充协议，输出参数如下：
（1）固定电压输出：5V/3A、9V/3A、12V/3A、20V3.25A；
（2）PPS电压输出：3-5.9V/3A、3-11V/2A。
备注：USB-C口对QC3.0/2.0和USB PD3.0（PPS）同时进行了兼容，也就成了大家常说的QC4+协议。
郑重申明：聚泉鑫以外的任何单位或个人，不得使用该案例作为工作成功展示！
Copyright © 2022-2032 深圳市聚泉鑫科技有限公司 版权所有 备案号：粤ICP备19083333号-2
粤公网安备 44030902003772号