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英诺赛科GaN FET INN650D02氮化镓60W快充方案
基于英诺赛科GaN FET INN650D02氮化镓功率器件打造的60W快充充电器方案，具有如下特点：
（1）体积小，从外观上看，GaN氮化镓PD快充充电器的体积，明显比普通PD快充充电器小很多，至少能缩小40%左右，非常的小巧。
（2）温度低，充电器在工作时，不管是充电、放电，均能比同等功率的充电器，功耗小、发热量低至少10度左右。手感温度良好。
（3）重量轻，由于采用了英诺赛科GaN FET INN650D02氮化镓功率器件，能够大大缩减电子元器件，从而使得充电器的重量减轻不少，至少减轻30%的重量。
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英诺赛科GaN氮化镓60W充电器，输出支持：5V/3A，9V/3A、12V/3A，15V/3A，20V/3A
【GaN】中文名【氮化镓】是一种新型半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。采用GaN氮化镓元件，充电器不仅仅可以做到体积小和重量轻，在发热量和效率转换上相比旧款充电器也更具优势。
【GaNFast】充电技术使得移动充电器在保持与老款充电器相同的外壳尺寸情况下，充电速度提高达5倍。现有的慢速、笨重的硅基充电器设计正在迅速被GaNFast设计取代，因为GaNFast技术固有的能力可以将开关速度提高100倍，减少元器件并增加功率输出以实现快充，是时候使用GaNFast了！
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