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在第三代半导体领域,英诺赛科(Innoscience)是全球氮化镓(GaN)功率器件的领军企业之一。公司采用IDM全产业链模式,拥有全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线,在GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)的设计、制造和封装方面具有完整的技术能力。深圳市聚泉鑫科技有限公司是英诺赛科官方授权的一级代理商,双方为战略合作伙伴关系,聚泉鑫基于英诺赛科GaN器件开发了多款高功率密度电源方案。
一、英诺赛科技术优势
IDM全产业链模式:从外延生长、晶圆制造到封装测试全部自主可控,产能和质量一致性有保障
8英寸硅基氮化镓工艺:相比6英寸工艺,单片晶圆芯片数量更多、成本更低,是GaN功率器件大规模量产的关键技术路径
领先的器件性能:英诺赛科的GaN HEMT具有低导通电阻(Rds(on))、低栅极电荷(Qg)、低输出电容(Coss)、零反向恢复电荷(Qrr)等特性,相比硅基MOSFET在高频开关应用中具有显著效率优势
宽产品线覆盖:电压范围覆盖40V~650V,电流覆盖1A~50A,封装形式多样,适配不同功率等级和应用场景
二、英诺赛科核心产品
| 产品系列 | 电压等级 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 低压GaN | 40V~100V | 负载点电源、POL、激光雷达 |
| 中压GaN | 150V~200V | 数据中心电源、48V系统 |
| 高压GaN | 650V | PD快充、适配器、PFC、LLC |
| GaN驱动器 | 配套驱动 | GaN合封/单驱动方案 |
| GaN模块 | 集成方案 | 高功率密度电源模块 |
| 合封SOC | GaN+驱动+控制 | 极致小型化快充方案 |
三、聚泉鑫×英诺赛科:战略合作
聚泉鑫科技是英诺赛科的重要合作伙伴,双方在高功率密度电源方案领域深度协同:
方案开发:聚泉鑫基于英诺赛科650V GaN HEMT,开发了65W~140W多款氮化镓快充参考设计,实现更高开关频率、更小变压器尺寸、更高效率
技术协同:聚泉鑫的AC电源方案事业部与英诺赛科的GaN应用团队紧密配合,为客户提供从器件选型到系统调试的完整支持
市场推广:聚泉鑫借助英诺赛科GaN产品的性能优势,在高端快充适配器、AI服务器电源、BMS等领域持续拓展市场
四、氮化镓快充方案核心价值
相比传统硅基MOSFET方案,基于英诺赛科GaN的快充方案具有以下优势:
更高频率:开关频率可达300kHz~1MHz,变压器和滤波器件体积大幅缩小
更高效率:满载效率可达93%~95%,损耗更低,散热设计更简单
更高功率密度:相同功率下体积可缩小30%~50%
更低碳排放:符合绿色能源和节能减排趋势
五、代理服务与技术支持
聚泉鑫科技作为英诺赛科一级代理商,为客户提供:
原厂授权正品GaN器件,供货稳定
GaN快充参考设计(原理图、PCB、BOM)
GaN驱动电路设计与调试指导
EMC测试与整改建议(自有EMC实验室)
快速样品申请与技术支持
欢迎联系聚泉鑫科技,获取英诺赛科GaN产品资料或方案设计支持。


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