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- 电源管理方案 SP6649WL多模式、低功耗AC/DC控制电路_聚泉鑫
- 全电压范围输入时待机功耗小于 75mw内置 650V 高压功率管软启动可用来减少 MOSFET 上 Vds 的应力抖频功能,改善 EMI性能跳频模式,改善轻载效率,减小待机功耗无噪声工作。...
2023-06-17 查看(1043)
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- 电源管理方案 SP6649DFL低功耗AC/DC控制电路_聚泉鑫
- SP6649DFL 是一颗电流模式 PWM 控制芯片,内置 650V 高压功率 MOSFET,芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高整机的工作效率。应用范围:充电器、PDA、数码相机、摄像机电源适配器、机顶盒电源...
2023-06-17 查看(1289)
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- 电源管理方案 SP6648HF低功耗开关电源控制芯片_聚泉鑫
- SP6648HF 是一颗电流模式 PWM 控制芯片,内置 650V 高压功率 MOSFET,应用于功率在 18W以内的方案。SP6648HF 在PWM 模式下工作于固定开关频率,这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时,工作频率由IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高...
2023-06-17 查看(1112)
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- 电源管理方案 SP8666F多模式、低功耗AC/DC控制电路
- SP8666F 在启动和工作时只需要很小的电流,可以在启动电路中使用一个很大的电阻,以此来进一步减小待机时的功耗。SP8666F 内置多种保护,包括:输入电压过低保护(Brown-out),输入电压过高保护(Line-ovp),输出电压过压保护(VO OVP)输出二极管短路保护,逐周期过流保护(OC...
2023-06-17 查看(1389)
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- 氮化镓GaN/协议 33W PD快充方案SP8666E+SP6519F测试报告
- 聚泉鑫为大家搭建推荐搭配了一款33W的PD快充方案利用硅动力SP8666E+SP6519F实现,同步整流开关,且具有极低的内阻,典型 RdsON 低至 10m2,可提供系统高达 3A 的应用输出:还内置了高压直接检测技术,耐压高达 200V:以及自供电技术极大扩展了输出电压应用范围。...
2023-06-17 查看(1413)
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- 氮化镓GaN/协议 PD快充33W硅动力SP8666E+SP6519F测试报告
- PD快充方案33W利用硅动力SP8666E+SP6519F组成,可提供系统高达 3A 的应用输出:还内置了高压直接检测技术,耐压高达 200V:以及自供电技术极大扩展了输出电压应用范围。VDD 过压保护(OVP),VDD欠压保护(UVLO),过温保护(OTP)等。...
2023-06-17 查看(1278)
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- 电源管理方案 英诺赛科INN700D240A增强功率晶体管700VGaN
- 增强功率晶体管700VGaN为700V尺寸为8mmx8mm的双扁平无引线封装(DFN)GaN-on-Si增强模式功率晶体管。交直流变换器,电池快速充电高密度功率转换高效率的功率转换...
2023-06-17 查看(1320)
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- 电源管理方案 英诺赛科INN650TA080AH增强功率晶体管GaN
- TOL封装的650VGaN-on-Si增强模式功率晶体管,英诺赛科INN650TA080AH应用领域:DCM/iPath纯测试版广泛商品PFC,AHB/LLC/QR反激式/ACFDC-DC转换器,LED驱动器,快速电池充电器,台式电脑和ATX电源工业、数据中心、电信电源电动工具电源。...
2023-06-17 查看(994)
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- 电源管理方案 英诺赛科INN650DA260A增强功率晶体管GaN
- 650V硅上GaN增强型功率品体管,采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关,符合JEDEC标准的工业应用。...
2023-06-17 查看(980)