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其他芯片方案 芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(873)

AGM12T05A是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最excellentRDSON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM405Q高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(621)

AGM405O是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。绿色设备可用超低栅电荷,优异的CdV/dt效应下降,先进的高电池密度沟槽技术。...
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其他芯片方案 芯控源AGM303AP低电阻封装沟槽MOSFET_聚泉鑫

2023-08-12 查看(942)

先进高电池密度沟槽技术低RDs (oN),最大限度地减少导电损耗低栅极电荷,实现快速开关低热阻。应用:兆字节/VGAVcore,SMPS第二同步整流器,PolyOne公司应用程序,无刷直流电机驱动器。...
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其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-11 查看(838)

AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET

2023-08-11 查看(1005)

AGM1010A2是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RD SON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM310AP1沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫

2023-08-11 查看(1134)

100%EAS保证绿色设备可用*超低栅极电荷优异的CdV/dt效应衰减先进的高电池密度沟槽技术。AGM310AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM308AP槽沟式N-沟道MOSFET-聚泉鑫

2023-08-11 查看(814)

AGM308AP是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RDSON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM306AP沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫

2023-08-11 查看(728)

AGM306AP是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
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其他芯片方案 芯控源AGM311MAP芯片沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫

2023-08-11 查看(846)

AGMSEMI AGM311MAP,耐压30V,导阻10.5mΩ,DFN3.3*3.3封装,用于线圈驱动。AGM311MAP是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...