- 其他芯片方案 芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET
- AGM12T05A是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最excellentRDSON和栅极电荷。...
2023-08-12 查看(873)
- 其他芯片方案 芯控源AGM405Q高单元密度沟槽N沟道MOSFET
- AGM405O是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。绿色设备可用超低栅电荷,优异的CdV/dt效应下降,先进的高电池密度沟槽技术。...
2023-08-12 查看(621)
- 其他芯片方案 芯控源AGM303AP低电阻封装沟槽MOSFET_聚泉鑫
- 先进高电池密度沟槽技术低RDs (oN),最大限度地减少导电损耗低栅极电荷,实现快速开关低热阻。应用:兆字节/VGAVcore,SMPS第二同步整流器,PolyOne公司应用程序,无刷直流电机驱动器。...
2023-08-12 查看(942)
- 其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET
- AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(838)
- 其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET
- AGM1010A2是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RD SON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1005)
- 其他芯片方案 芯控源AGM310AP1沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- 100%EAS保证绿色设备可用*超低栅极电荷优异的CdV/dt效应衰减先进的高电池密度沟槽技术。AGM310AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(1134)
- 其他芯片方案 芯控源AGM308AP槽沟式N-沟道MOSFET-聚泉鑫
- AGM308AP是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(814)
- 其他芯片方案 芯控源AGM306AP沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- AGM306AP是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(728)
- 其他芯片方案 芯控源AGM311MAP芯片沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫
- AGMSEMI AGM311MAP,耐压30V,导阻10.5mΩ,DFN3.3*3.3封装,用于线圈驱动。AGM311MAP是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
2023-08-11 查看(846)