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小体积33w氮化镓快充方案采用英诺赛科INN650DA04
近两年来市场上不断出现各类新型氮化镓方案，功率亦出现两极分化的趋势，即一种是往120W、150W、200W以上的大功率氮化镓方案发展；另一种情况则往实用型手机PD快充转变，如45W、30W、20W特别是33W氮化镓充电器方案等。
此次为大家带来一款具备爆品潜质小体积33w氮化镓快充方案，采用英诺赛科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片。
主控采用亚成微的PWM开关控制芯片RM6601ND，这是一款集成了高压启动、GaN驱动器、满足六级能效要求的PWM+PFM控制器。支持CCM和QR工作模式，内置700V高压启动，开关频率最高为130KHz，支持抖频功能改善EMI，集成斜坡补偿和高低压功率补偿。
氮化镓功率器件开关管采用英诺赛科INN650DA04，这是一颗DFN5*6封装的氮化镓开关管，具有小体积，散热快，开关损耗低等优势。
爆品潜质小体积33w氮化镓快充方案的基本框架，采用RM6601ND+INN650DA04+RM5020T+RMD070N10S配套。
爆品潜质小体积33w氮化镓快充方案特点：
（1）提升功率的同时，进一步缩小了充电器体积
（2）并且功耗更低，性能方面还支持20V高压快充
（3）支持最高27W快充与33W PPS快充
（4）可匹配iPhone系列以及其他主流品牌手机快充。
（5）在110V 60Hz、220V 50Hz输入电压下，所有输出功率纹波峰峰值均低于200mVp-p这个国家充电器纹波要求标准。
（5）在110V 60Hz、220V 50Hz输入电压下，所有输出功率纹波峰峰值均低于200mVp-p这个国家充电器纹波要求标准。
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