英诺赛科INN100L12氮化镓pd20w快充方案充电器参考设计

2023-09-25 22:54      英诺赛科INN100L12   氮化镓pd20w快充方案充电器参考设计    浏览次数:(

由于近期苹果、三星等手机厂商接连倡导“为地球减负”的提议,宣布在用户购买手机时取消标配充电器。这一举措实实在在刺激了第三方快充充电器市场。为此,英诺赛科推出了一款氮化镓pd20W快充方案,可以同时满足苹果、三星、小米、华为、OPPO等手机用户的快充需求。

英诺赛科INN100L12氮化镓pd20w快充方案充电器参考设计
        英诺赛科近期推出的这款氮化镓pd20w快充方案,是基于 英诺赛科低压InnoGaN器件INN100L12设计,并且是非常特殊地用在了次级同步整流。


英诺赛科INN100L12是一款已经量产商用的GaN同步整流管,为降低适配器次级侧同步整流驱动损耗,提高工作频率,带来了新的选择。除了低压氮化镓外,英诺赛科650V高压氮化镓FET也早就已经量产,并在众多产品中有着广泛应用,英诺赛科是为数不多的几家能够提供氮化镓器件的厂商。

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英诺赛科氮化镓pd20w快充方案参考设计,初级采用两颗电解电容滤波,次级采用固态电容,680μF16V,永铭VPX系列,协议小板垂直焊接。

 
参考设计左侧是输出的同步整流电路,南芯SC3503同步整流控制器芯片右侧为英诺赛科 INN100L12,仅为同步整流控制器2/3面积;同时初级控制器也是来自南芯,型号SC3001B。
 
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20W氮化镓参考设计宽约22mm,高约20mm;和苹果pd20w充电器对比,仅约为其一半体积大小,非常精巧。

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         这款氮化镓pd20w快充方案充电器的次级同步整流管采用英诺赛科INN100L12,100V耐压的增强型GaN开关管。氮化镓器件支持超高开关频率,超低导阻,无反向恢复损耗,快速且可控制的上升和下降时间,采用超薄和高可靠性的倒装LGA封装,同时具有开尔文采样源极,可减少寄生参数,获得更精准的控制,提高效率。LGA封装大面积的源极与漏极有助于导热,配合PCB导热设计,可做到无需辅助散热。相比传统Si MOS,均可降低驱动损耗,和反向恢复损耗,提高工作频率,提升功率密度,是传统Si MOS的理想替代品。聚泉鑫科技代理英诺赛科氮化镓器件,并且提供氮化镓快充方案,如氮化镓pd20w快充方案设计及相关技术支持。


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