（1）英诺赛科20w氮化镓方案PD快充参考设计初级采用两颗电解电容滤波，次级采用固态电容，680μF16V，永铭VPX系列，协议小板垂直焊接。

（2）英诺赛科20w氮化镓方案PD快充参考设计左侧是输出的同步整流电路，南芯SC3503同步整流控制器芯片右侧为英诺赛科 INN100L12，仅为同步整流控制器2/3面积；同时初级控制器也是来自南芯，型号SC3001B。

（3）20w氮化镓方案PD快充宽约22mm。

这套20W氮化镓参考设计高约20mm。

和苹果20W PD适配器对比，约为一半体积。

  英诺赛科INN650DA04采用1.9*2.9mm FCLGA倒装封装，相比DFN5*6封装的同步整流管，不仅体积优势明显，工作频率更高，其优化的走线更加方便高频大电流走线。适用于同步整流，数字功放，包络跟踪供电和高频DC-DC转换器。相比传统Si MOS，均可降低驱动损耗，和反向恢复损耗，提高工作频率，提升功率密度，是传统Si MOS的理想替代品。