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USB PD氮化镓GaN充电方案
英诺赛科650V增强型氮化镓GaN场效应晶体管INN650D01助力PD快充高效高功率密度设计
氮化镓GaN场效应晶体管INN650D01
产品型号:INN650D01
品牌:英诺赛科
封装:DFN 8*8
批号:20+
产品分类:USB PD氮化镓GaN充电方案
产品价格:面议
最小起订:2500 PCS
最大供货:250000 PCS
发货期限:3天以内发货
发布时间:2020-07-21 17:00:27 | 浏览量:169
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英诺赛科Innoscience)650V增强型氮化镓GaN场效应晶体管INN650D01,助力PD快充高效高功率密度设计

英诺赛科Innoscience)INN650D01主要是应用于快充等市场,实现高效高功率密度设计。

采用硅Si MOSFET技术和采用氮化镓GaN技术,在同样采用ACF电路设计的条件下数据对比如下:

(一)45W PD快充对比

(1)采用硅Si MOSFET技术,45W快充:功率密度9W/in3,效率91%@90VAC输入,100%负载的情况下。

(2)采用氮化镓GaN技术,45W的快充:功率密度14W/in3,效率93%@90VAC输入,100%负载的情况下。


 

(二)65W PD快充对比:

(1)采用硅Si MOSFET技术,65W的快充:功率密度10W/in3,效率91%@90VAC输入,100%负载的情况下。

(2)采用氮化镓GaN技术,65W的快充:功率密度20.5W/in3,效率93%@90VAC输入,100%负载的情况下。

 

通过以上两组数据对比,可以看出相比于传统的硅Si MOSFET技术,采用氮化镓GaN MOSFET技术具有如下优势

(1)效率提高:在效率上实现2%的提升。

(2)功率密度提高:在功率密度上45W提升5W/in3,65W更是提升了10.5W/in3。

(3)体积缩小:随着功率密度的提升,产品的体积就往更加小型化发展,45W的体积在原有基础上减小35%,65W的体积相当于减小50%也就是说体积能够减小一半左右。

 

 

 

 

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