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英诺赛科20w氮化镓方案PD快充参考设计介绍
英诺赛科20w氮化镓方案PCBA
英诺赛科20w氮化镓方案GaN功率器件INN650DA04
产品型号:INN650DA04
品牌:英诺赛科
封装:DFN 5X6
批号:21+
产品分类:USB PD氮化镓GaN充电方案
产品价格:面议
最小起订:1000 PCS
最大供货:10000 PCS
发货期限:3天以内发货
发布时间:2021-03-24 09:30:01 | 浏览量:1172
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英诺赛科20w氮化镓方案PD快充参考设计介绍:

(1)英诺赛科20w氮化镓方案PD快充参考设计初级采用两颗电解电容滤波,次级采用固态电容,680μF16V,永铭VPX系列,协议小板垂直焊接。

 

 

(2)英诺赛科20w氮化镓方案PD快充参考设计左侧是输出的同步整流电路,南芯SC3503同步整流控制器芯片右侧为英诺赛科 INN100L12,仅为同步整流控制器2/3面积;同时初级控制器也是来自南芯,型号SC3001B。

 

(3)20w氮化镓方案PD快充宽约22mm。

这套20W氮化镓参考设计高约20mm。

和苹果20W PD适配器对比,约为一半体积。


基于英诺赛科650V氮化镓GaN功率器件INN650DA04设计的20W PD快充方案PCBA

  英诺赛科INN650DA04采用1.9*2.9mm FCLGA倒装封装,相比DFN5*6封装的同步整流管,不仅体积优势明显,工作频率更高,其优化的走线更加方便高频大电流走线。适用于同步整流,数字功放,包络跟踪供电和高频DC-DC转换器。相比传统Si MOS,均可降低驱动损耗,和反向恢复损耗,提高工作频率,提升功率密度,是传统Si MOS的理想替代品。

 

 

 

 

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