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氮化镓USB PD充电器新闻
聚泉鑫推出基于英诺赛科GaN设计的65W氮化镓GAN PD充电器成熟量产方案
[ 发布日期:2020-09-28 14:51:06 | 浏览:80次 ]
聚泉鑫科技近期推出基于英诺赛科GaN功率器件INN650D01和INN650D02设计的65W氮化镓GAN PD充电器成熟量产方案,助力快充充电器厂家快速应用氮化镓小体积充电器方案。
聚泉鑫科技为您全方位提供氮化镓GaN器件在充电器设计中的应用问题,解决氮化镓GAN PD充电器方案难过EMC问题以及开发周期长、成本高等难点、痛点。
聚泉鑫推出基于英诺赛科GaN设计的65W氮化镓GAN PD充电器成熟量产方案
氮化镓充电器可谓吸引了全球眼球,高速高频高效让大功率USB PD充电器不再是魁梧砖块,小巧的体积一样可以实现大功率输出.GaN(氮化镓)相比传统硅基半导体,有着比硅基半导体出色的击穿能力,更高的电子密度和电子迁移率,还有更高的工作温度。这首先体现了低损耗和高开关频率,低损耗可降低导阻带来的发热,高开关频率可减小变压器和电容的体积,有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg,可以很容易的提升频率,降低驱动损耗。
 
65W氮化镓GAN PD充电器方案的USB-C口支持USB PD3.0(PPS)快充协议,输出参数如下:
(1)固定电压输出:5V/3A、9V/3A、12V/3A、20V3.25A;
(2)PPS电压输出:3-5.9V/3A、3-11V/2A。
备注:USB-C口对QC3.0/2.0和USB PD3.0(PPS)同时进行了兼容,也就成了大家常说的QC4+协议。
 
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