| 在氮化镓GaN充电器方案应用中，同步整流管有两种PCB走线布局： （1）在氮化镓GaN充电器方案中，把同步整流管放在次级侧的低端，如下图所示：  （2）在氮化镓GaN充电器方案中，把同步整流管放在次级侧的高端，如下图所示；  这两种接法在 EMI 性能上面还会有很大的差别，这可是电源设计里面最难解决的问题之一。 在开关电源 中 EMI 的来源是开关 动作所产生的动点电压，而在反激电路中初级侧的主开关管和次级侧的同步整流管则分别是最主要的两个动点。 在氮化镓GaN充电器方案中，这两种同步整流管布局有什么区别吗？ 同步整流管布局放在次级低端的优缺点： （1）优点： 放在低端的，同步整流和输出是共地的，这样同步整流的供电可以直接从输出电压取，电路设计非常简单，所以放在低端比较好。这也是好多工程师朋友设计电路的选择！ （2）缺点： 如果将同步整流管放在次级侧的低端，如下图所示，红色的初级动点和蓝色的次级动点所产生的共模电流方向是相同的。这样就会产生共模电流相互加强的作用，所以 EMI 的性能就是比较差的。  同步整流管布局放在次级高端的优缺点： （1）缺点： 放在高端的，同步整流和输出是异地的，这样同步整流的供电就需要从别处取电，电路设计比较复杂，所以很多工程人员会放弃这种布局。 （2）优点： 如果将同步整流管放在次级侧的高端，如下图所示，红色的初级动点和蓝色的次级动点所产生的共模电流方向是相反的。这样就会产生共模电流相互抵消的作用，所以 EMI 的性能就是比较好的。  虽然差异的大小因设计而异，但是通常这两种接法在EMI的测试结果上会表现出3-5db的差别，这个在实际应用中可不是那么容易补得回来的，尤其在设计氮化镓GaN电源，为了GaN充电器产品过EMI，熬到秃头就为个3-5db，实在是难为工程人员哦。 （1）65W氮化镓GaN USB PD充电器方案推荐 （2）什么是氮化镓GaN，氮化镓GaN有哪些优势？ |
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