| 英诺赛科推出基于INN650D01+INN650D02打造的100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案。 英诺赛科（Innoscience) 650V增强型氮化镓GaN场效应晶体管INN650D01和INN650D02，主要用在快充高效高功率密度充电器方案设计之中。  100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案特性： （1）采用PFC+高频QR反激+同步整流方案（NCP1662+NCP1342 + MP6908） （2）高频&高效 InnoGaN™ 功率管（INN650D01+INN650D02） （3）高效可靠的驱动方案 （4）71*56*21.6mm方案尺寸，比同功率等级传统方案小50% （5）18W/in³的高功率密度 （6）92.5%的峰值效率 （7）4个高功率充电端口，2个USB-C(支持PD3.0)和2个USB-A(支持QC3.0) （8）所有接口，皆可快充，可同时满足4台设备快速充电 （9）智能功率调节 100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案驱动电路设计，工作原理：  开通：InnoGaN的Ciss通过左上图所示路径充电，Ron-Cc-Ciss-Rsense-CBYPASS 关断：InnoGaN的Ciss通过左上图所示路径充电，Cc-Roff-Rsense 由于高频的驱动电流要流经CBYPASS，因此在layout时CBYPASS电容 需要尽量靠近控制芯片，以免耦合噪音。  英诺赛科推出100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案，采用2A2C输出，下图为各输出口功率说明：  浏览此文章的人也喜欢： （1）英诺赛科100W氮化镓GaN充电器2A2C快充方案（INN650D01+INN650D02）优势介绍 （2）采用英诺赛科GaN FET INN650D02氮化镓功率器件的60W快充充电器方案 |
