英诺赛科推出基于INN650D01+INN650D02打造的100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案。 英诺赛科(Innoscience) 650V增强型氮化镓GaN场效应晶体管INN650D01和INN650D02,主要用在快充高效高功率密度充电器方案设计之中。 ![]() 100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案特性: (1)采用PFC+高频QR反激+同步整流方案(NCP1662+NCP1342 + MP6908) (2)高频&高效 InnoGaN™ 功率管(INN650D01+INN650D02) (3)高效可靠的驱动方案 (4)71*56*21.6mm方案尺寸,比同功率等级传统方案小50% (5)18W/in³的高功率密度 (6)92.5%的峰值效率 (7)4个高功率充电端口,2个USB-C(支持PD3.0)和2个USB-A(支持QC3.0) (8)所有接口,皆可快充,可同时满足4台设备快速充电 (9)智能功率调节 100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案驱动电路设计,工作原理: ![]() 开通:InnoGaN的Ciss通过左上图所示路径充电,Ron-Cc-Ciss-Rsense-CBYPASS 关断:InnoGaN的Ciss通过左上图所示路径充电,Cc-Roff-Rsense 由于高频的驱动电流要流经CBYPASS,因此在layout时CBYPASS电容 需要尽量靠近控制芯片,以免耦合噪音。 ![]() 英诺赛科推出100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案,采用2A2C输出,下图为各输出口功率说明: ![]() 浏览此文章的人也喜欢: (1)英诺赛科100W氮化镓GaN充电器2A2C快充方案(INN650D01+INN650D02)优势介绍 (2)采用英诺赛科GaN FET INN650D02氮化镓功率器件的60W快充充电器方案 |