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英诺赛科推出100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案,基于INN650D01+INN650D02打造
[ 发布日期:2020-07-22 14:13:31 | 浏览:368次 ]
英诺赛科推出基于INN650D01+INN650D02打造的100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案。
英诺赛科(Innoscience) 650V增强型氮化镓GaN场效应晶体管INN650D01和INN650D02,主要用在快充高效高功率密度充电器方案设计之中。
英诺赛科100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案特性
100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案特性:
(1)采用PFC+高频QR反激+同步整流方案(NCP1662+NCP1342 + MP6908)
(2)高频&高效 InnoGaN™ 功率管(INN650D01+INN650D02)
(3)高效可靠的驱动方案
 
(4)71*56*21.6mm方案尺寸,比同功率等级传统方案小50%
(5)18W/in³的高功率密度
(6)92.5%的峰值效率
 
(7)4个高功率充电端口,2个USB-C(支持PD3.0)和2个USB-A(支持QC3.0)
(8)所有接口,皆可快充,可同时满足4台设备快速充电
(9)智能功率调节

100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案驱动电路设计,工作原理:
100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案驱动电路设计,工作原理
开通:InnoGaN的Ciss通过左上图所示路径充电,Ron-Cc-Ciss-Rsense-CBYPASS
关断:InnoGaN的Ciss通过左上图所示路径充电,Cc-Roff-Rsense
 
由于高频的驱动电流要流经CBYPASS,因此在layout时CBYPASS电容
需要尽量靠近控制芯片,以免耦合噪音。
100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案驱动电路设计元件器作用说明

英诺赛科推出100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案,采用2A2C输出,下图为各输出口功率说明:
英诺赛科推出100W氮化镓GaN PD充电器芯片方案2A2C输出端功率说明

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