| 传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上，出于两个方面的原因-传导和开关切换，设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术，其改善开关切换的延迟时间。 纳微（Navitas）半导体公司是世界上第一家的氮化镓（ GaN ）功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片，其中 GaN 驱动器、GaN FET 和 GaN 逻辑单元的单片集成，并全部采用 650V GaN 工艺，从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。  高效高功率密度150W电源解决方案采用纳微Navitas氮化镓功率IC-NV6115与 NV6117 氮化镓功率芯片 并且搭配 ONSEMI 半导体的 LLC 驱动器NCP13992与 同步整流驱动芯片NCP4306，其中 PFC驱动为NCP1615 。  氮化镓150W电源解决方案电源解决方案为输入85-260VAC 输出 DC19.5V/7.69A，其简化布局并减少外部组件数，采用跳周期模式提升轻载能效，并集成一系列保护特性以提升系统可靠性。  氮化镓150W 方案的体积为 103mm x 55mm x 17mm ，这个体积尺寸是市面上其他方案的2/3。本方案的PFC 采用开关频率为100~200KHz / LLC采用开关频率为270KHz，并且在满负载又不需要外加风扇去散热的情况下其转换效率高于95.2%。用于工业电源大功率电源系统应用，可显著实现轻载和满载时的高能效及超低待机能耗。 方案方块图 核心技术优势（1）无辅助电源, 快速启动（2）X2 电容放电功能 （3）输入功率因数 接近0.99 （4）低电源&过载保护 （5）温度保护功能 （6）Dimension 103*55*17 96CC （7）功率密度为1.56 W/cc （8）输出满载功率下的最高效率为95.2% （9）空载损耗为135mW 方案规格（1）输入：AC90 – 265 V;（2）输出：19.5 Vdc / 7.69 A 功率150 W ，纹波< 120 mV； （3）待机功耗小于135MW； |
