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基于纳微Navitas氮化镓功率IC-NV6115的高效高功率密度150W电源解决方案
[ 发布日期:2020-05-15 09:39:17 | 浏览:652次 ]
       传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上,出于两个方面的原因-传导和开关切换,设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术,其改善开关切换的延迟时间。

       纳微(Navitas)半导体公司是世界上第一家的氮化镓( GaN )功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片,其中 GaN 驱动器、GaN FET 和 GaN 逻辑单元的单片集成,并全部采用 650V GaN 工艺,从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。

基于纳微Navitas氮化镓功率IC-NV6115的电源产品图

       高效高功率密度150W电源解决方案采用纳微Navitas氮化镓功率IC-NV6115与 NV6117 氮化镓功率芯片 并且搭配 ONSEMI 半导体的 LLC 驱动器NCP13992与 同步整流驱动芯片NCP4306,其中 PFC驱动为NCP1615 。
基于纳微Navitas氮化镓功率IC-NV6115的高效高功率密度150W电源解决方案
       氮化镓150W电源解决方案电源解决方案为输入85-260VAC 输出 DC19.5V/7.69A,其简化布局并减少外部组件数,采用跳周期模式提升轻载能效,并集成一系列保护特性以提升系统可靠性。
基于纳微Navitas氮化镓功率IC-NV6115的高效高功率密度150W电源解决方案PCBA实物图
       氮化镓150W 方案的体积为 103mm x 55mm x 17mm ,这个体积尺寸是市面上其他方案的2/3。本方案的PFC 采用开关频率为100~200KHz / LLC采用开关频率为270KHz,并且在满负载又不需要外加风扇去散热的情况下其转换效率高于95.2%。用于工业电源大功率电源系统应用,可显著实现轻载和满载时的高能效及超低待机能耗。

方案方块图

 氮化镓功率IC-NV6115高效高功率密度150W电源解决方案系统方块框图

核心技术优势

(1)无辅助电源, 快速启动
(2)X2 电容放电功能
(3)输入功率因数 接近0.99
(4)低电源&过载保护
(5)温度保护功能
(6)Dimension 103*55*17 96CC
(7)功率密度为1.56 W/cc
(8)输出满载功率下的最高效率为95.2%
(9)空载损耗为135mW

方案规格

(1)输入:AC90 – 265 V;
(2)输出:19.5 Vdc / 7.69 A 功率150 W ,纹波< 120 mV;
(3)待机功耗小于135MW;

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