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氮化镓USB PD充电器新闻
由快充充电器引发的市场争夺战正式开启,“中国芯”氮化镓GaN优势凸显!!!
[ 发布日期:2020-05-07 11:08:13 | 浏览:234次 ]

目前,对比传统的MOSFET 产品,GaNFET由于采用异质外延材料,在设计及制造工艺上都有极大的挑战,全球范围内成熟的可量产的GaN产线十分有限。

全球氮化镓快充背后的功率芯片技术掌握在三大主要供货厂家手上,其中英诺赛科是唯一上榜的国产硅基氮化镓厂商。在当前中美贸易摩擦的大背景下,自主创新第三代半导体芯片,避免关键技术被掐脖子,获得了许多厂商的关注,业界对其发展潜力十分看好。

据了解,目前在快充领域已有超过10家企业基于英诺赛科氮化镓芯片成功开发出快充产品并实现量产。而此前市面上在售的氮化镓快充充电器均基于进口芯片开发,英诺赛科“InnoGaN”系列氮化镓芯片的成功商用,标志着国产氮化镓技术已经成熟,也正式打破了氮化镓功率器件完全依赖进口品牌的局面。

当前市场上氮化镓快充电源主要采用650V氮化镓功率芯片(GaNFET)作为功率开关,应用氮化镓高频特性,使得终端快充产品体积更小,效率更高。

       据了解ROCK(洛克)天猫旗舰店,正在热销的ROCK 65W 2C1A氮化镓GaN充电器(新一代价格屠夫,氮化镓GaN快充充电器竟然比传统快充还便宜!!!99  元即可拥有)的核心器件---就是采用英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片。该功率芯片拥有超高的工作频率,符合JEDEC标准的工业应用要求;同时采用DFN8x8封装,降低热阻,非常适用于高功率密度高效率开关电源的开发。

国内首家硅基氮化镓GaN领导厂商,英诺赛科

作为国内首家硅基氮化镓领导厂商,英诺赛科采用IDM商业模式(IDM:Integrated Design Manufacturer,集成设计制造商,既有IC设计能力也有IC制造能力的公司),涵盖研发、设计、生产、测试、销售、市场、技术支持等各个环节;公司在珠海和苏州建有两个8英寸硅基氮化镓芯片研发生产基地,产品线覆盖40V-650V的全系列氮化镓芯片,自有失效分析和可靠性实验室,其在工艺先进性、产品覆盖面以及产能布局等核心方面都具有极大的优势。

同时,借助IDM全产业链模式,及8英寸的生产加工工艺,英诺赛科“InnoGaN”系列对成本的控制也有着无可比拟的优势,这有利于促进了氮化镓快充产品的平民化,加速第三代半导体的大面积商用普及。在未来的市场争夺战中,英诺赛科无疑是一位颇具实力的选手。

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