QQ联系
电话联系
手机联系
3523
其他芯片方案 英集芯IP2610 32V输入耐压过压保护ic芯片

2023-08-15 查看(1003)

IP2610 是一款具有输入过压保护集成 IC。IP2610 的输入耐压达 32V;检测到输入电压大于 OVP 保护闻值后,能快速关闭内部集成的功率管防止输入高压损坏输出上的设备;IP2610 集成有过温保护,当检测到芯片内部温度过高时,也会关断功率管输出。...
3523
其他芯片方案 芯控源AGM6014A高单元密度沟槽式N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(654)

AGM6014A是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET可为大多数同步降压转换器应用提供excellentRDSON和栅极电荷。...
3523
其他芯片方案 芯控源AGM12T05A高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(881)

AGM12T05A是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最excellentRDSON和栅极电荷。...
3523
其他芯片方案 芯控源AGM405Q高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-12 查看(630)

AGM405O是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。绿色设备可用超低栅电荷,优异的CdV/dt效应下降,先进的高电池密度沟槽技术。...
3523
其他芯片方案 芯控源AGM303AP低电阻封装沟槽MOSFET_聚泉鑫

2023-08-12 查看(954)

先进高电池密度沟槽技术低RDs (oN),最大限度地减少导电损耗低栅极电荷,实现快速开关低热阻。应用:兆字节/VGAVcore,SMPS第二同步整流器,PolyOne公司应用程序,无刷直流电机驱动器。...
3523
其他芯片方案 芯控源AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET

2023-08-11 查看(855)

AGM405AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
3523
其他芯片方案 芯控源AGM1010A2高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET

2023-08-11 查看(1028)

AGM1010A2是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RD SON和栅极电荷。...
3523
其他芯片方案 芯控源AGM310AP1沟槽N沟道MOSFET_聚泉鑫

2023-08-11 查看(1148)

100%EAS保证绿色设备可用*超低栅极电荷优异的CdV/dt效应衰减先进的高电池密度沟槽技术。AGM310AP1是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,它提供了同步降压转换器的应用最优秀的RDSON和栅极电荷。...
3523
其他芯片方案 芯控源AGM308AP槽沟式N-沟道MOSFET-聚泉鑫

2023-08-11 查看(823)

AGM308AP是高电池密度槽沟式N-沟道MOSFET,它提供适用于大多数同步降压转换器应用的优秀RDSON和栅极电荷。...